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氣相沉積爐的相關知識點
日期:2023-12-21  瀏覽量:112

         CVD氣相沉積爐是Chemical Vapor Deposition的簡稱,是指高溫下的氣相反應,例如,金屬鹵化物、有機金屬、


碳氫化合物等的熱分解,氫還原或使它的混合氣體在高溫下發生化學反應以析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。


        這種技術Z初是作為涂層的手段而開發的,但目前,不只應用于耐熱物質的涂層,而且應用于高純度金屬的精制、


粉末合成、半導體薄膜等,是一個頗具特征的技術領域。


        氣相沉積爐這種技術剛開始發展時是作為涂層的手段而開發的,但是目前隨著發展已經不只是應用于耐熱物質的涂層了,現在應該已經應用于高純度金屬的精制、


粉末合成、半導體薄膜等,是一個還比較廣泛的領域。

 

       氣相沉積爐反應室的壓力、氣體的流動速率、晶片的溫度等反應中間起的作用都是沉積參數的變化范圍,所以考慮到沉積薄膜中的變數、以及沉積


速率決定著反應室的產量,反應生成的膜不僅會沉積在晶片上,也會沉積在反應室的其他部件上,所以對反應室進行徹底清洗的程度也是重要。


       氣相沉積爐是傳統的制備薄膜的技術,它的原理就是利用氣態的先驅反應物,通過原子、分子間的化學反應,在晶片上形


成薄膜。氣相沉積能夠生產出具備高質量高純度以及高強度等優點的材料,因此在半導體行業很受歡迎。


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